BR9147FD

2021-12-25T11:40:53+08:00

10MHz~6GHz 吸收式单刀双掷开关,高隔离度:60dB@1GHz,低插入损耗:0.8dB@1GHz,高速切换,基于GaAs工艺设计

BR9158

2021-12-02T15:55:45+08:00

1MHz~500MHz 7位数控衰减器,最小衰减位0.25dB,插入损耗低于0.6dB,TTL/CMOS控制信号,基于GaAs工艺设计

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